épitaxie en phase vapeur

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• épitaxie en phase vapeur — garinė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vapor phase epitaxy vok. Dampfphasenepitaxie, f; Epitaxie aus der Dampfphase, f rus. эпитаксия из паровой фазы, f pranc. épitaxie en phase vapeur, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques — L épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d organométalliques ou d hydrures, sont amenés vers le substrat par un gaz vecteur. Cette… …   Wikipédia en Français

• épitaxie en phase vapeur métallo-organique — garinė metalo ir organinio junginio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metallo organic vapor phase epitaxy vok. metallorganische Gasphasenepitaxie, f rus. эпитаксия металлоорганического соединения из паровой фазы, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• épitaxie en phase vapeur aux tranches — garinė epitaksija ant plūduriųjų plokštelių statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vapor levitation epitaxy vok. Dampfphasenepitaxie auf dem Levitationszustandswafer, f rus. эпитаксия из паровой фазы на плавающих пластинах, f pranc …   Radioelektronikos terminų žodynas

• tranche d'épitaxie en phase vapeur — garinės epitaksijos plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vapor phase epitaxy wafer vok. Dampfphasenepitaxiewafer, m rus. пластина с эпитаксиальным слоем из паровой фазы, f pranc. tranche d épitaxie en phase vapeur, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Dépôt chimique en phase vapeur — Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux. Sommaire 1 Principe 2 Variantes du dépôt chimique en phase vapeur 3 …   Wikipédia en Français

• Epitaxie — Épitaxie Cet article possède un quasi homophone, voir Épistaxis.  L épitaxie est une technique de croissance orientée, l un par rapport à l autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d éléments de symétrie communs dans leurs réseaux …   Wikipédia en Français

• Épitaxie — Cet article possède un quasi homophone, voir Épistaxis.  L épitaxie est une technique de croissance orientée, l un par rapport à l autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d éléments de symétrie communs dans leurs réseaux… …   Wikipédia en Français

• Epitaxie aus der Dampfphase — garinė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vapor phase epitaxy vok. Dampfphasenepitaxie, f; Epitaxie aus der Dampfphase, f rus. эпитаксия из паровой фазы, f pranc. épitaxie en phase vapeur, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

• vapor-phase epitaxy — garinė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vapor phase epitaxy vok. Dampfphasenepitaxie, f; Epitaxie aus der Dampfphase, f rus. эпитаксия из паровой фазы, f pranc. épitaxie en phase vapeur, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

• vapor-phase epitaxy wafer — garinės epitaksijos plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vapor phase epitaxy wafer vok. Dampfphasenepitaxiewafer, m rus. пластина с эпитаксиальным слоем из паровой фазы, f pranc. tranche d épitaxie en phase vapeur, f …   Radioelektronikos terminų žodynas